60-80V低壓mos管系列采用士蘭的LVMOS工藝技術(shù)制造，具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量，可廣泛應(yīng)用于不間斷電源及逆變器系統(tǒng)的電源管理領(lǐng)域，BMS、逆變器、儲(chǔ)能光伏專用mos管！

　　

　　60V 低壓mos管系列：主要有SVG062R8NL5、SVG063R5NL5、SVGP066R1NL5、SVG069R5ND、SVGP069R5NSA等，導(dǎo)通電阻RDS(on)(典型值)范圍2.8mΩ-9.5mΩ，有PDFN56、TO252、SOP8封裝，滿足不同的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與終端使用需求。　　

　　SVG062R8NL5 60v mos管是140A、60V N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管采用PDFN56封裝，漏源電壓VDS=60V，導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=2.8 mΩ@VGs=10V。　　

　　SVG063R5NL5 60v耐壓的mos管采用PDFN56封裝，漏源電壓VDS=60V，導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=3.5 mΩ@VGs=10V。　　

　　SVGP066R1NL5 71A 60V N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管采用PDFN56封裝，漏源電壓VDS=60V，導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=6.1 mΩ@VGs=10V。　　

　　SVG069R5ND 60A、60V N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管采用TO252封裝，漏源電壓VDS=60V，導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=9.5mΩ@VGs=10V。　　

　　SVGP069R5NSA 14A、60V N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管采用SOP8封裝，漏源電壓VDS=60V，導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=9.5mΩ@VGs=10V。

　　

　　80V低壓mos系列：主要有SVGP082R6NL5A、SVG083R4NS、SVG083R4NT、SVG083R6NL5 、SVG086R0ND、SVG086R0NL5、SVG086R0NS、SVG086R0NT等，導(dǎo)通電阻RDS(on)(典型值)范圍2.6 mΩ-6.0 mΩ，有DFN56、TO263、TO220、TO252等多種封裝，滿足不同的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與終端使用需求。　　

　　SVGP082R6NL5A 100A、80V N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管采用PDFN-8-5X6封裝，漏源電壓VDS=80V，導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=2.6 mΩ@VGs=10V，具有低柵極電荷、快關(guān)速度快、低反向傳輸電容等特點(diǎn)。　　

　　SVG083R4NS  120A、80V N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管采用TO263封裝，漏源電壓VDS=80V，導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=3.4 mΩ@VGs=10V。　　

　　SVG083R4NT 120A、80V N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管采用TO220封裝，漏源電壓VDS=80V，導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=3.4 mΩ@VGs=10V。　　

　　SVG083R6NL5 138A、80V N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管采用PDFN56封裝，漏源電壓VDS=80V，導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=3.6 mΩ@VGs=10V。　　

　　SVG086R0ND 80v mos管采用TO252封裝，漏源電壓VDS=80V，導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=6.0 mΩ@VGs=10V。　　

　　SVG086R0NL5 120A、80V N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管采用PDFN56封裝，漏源電壓VDS=80V，導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=6.0 mΩ@VGs=10V。　　

　　SVG086R0NS 采用TO263封裝，漏源電壓VDS=80V，漏極電流Tc=25℃：120A，導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=6.0 mΩ@VGs=10V。　　

　　SVG086R0NT 采用TO220封裝，漏源電壓VDS=80V，漏極電流Tc=25℃：120A，導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=6.0mΩ@VGs=10V，是120A、80V N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管。

　　

　　低壓-150~200V mos管系列具有高頻率、大電流、低開啟電壓、低內(nèi)阻、結(jié)電容小、低消耗、低溫升、高轉(zhuǎn)換效率、過電流大、抗沖擊能力強(qiáng)、開關(guān)損耗小等的優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于汽車電子、電機(jī)、非機(jī)動(dòng)車、手機(jī)、筆電、鋰電、新能源、大功率電源、其他消費(fèi)電子等領(lǐng)域，更多MOS器件替換及選型產(chǎn)品手冊、參數(shù)等方案資料請向士蘭微mos代理商驪微電子申請。>>